29.07.2016, 23:57
Hallo Radiofreunde,
im Zuge der Entwicklung des Modulators mit Russischen Röhren habe ich auch ein kleines geregeltes Netzteil gebaut. Da ich denke, dass ein solches Gerät hier für viele interessant ist habe ich diesem Projekt einen eigenen Thread spendiert. Um den Stromverbrauch niedrig zu halten habe ich das Netzteil mit MOSFET als Längsregler konzipiert. Die Platine ist auf einen 7W Netztrafo ausgelegt der hier bezogen werden kann:
https://www.tube-town.net/ttstore/Transf...so8e4meen7
Andere Trafos auch solche mit mehr Leistung können natürlich extern angeschlossen werden die passen dann leider nicht auf die Platine. Hier der Schaltplan
Technische Daten:
Ausgangsspannung 60...200V bei maximal 15mA
Heizspannung: 6,3V maximal 600mA
Hilfsspannung -9V (z.B. als Gittervorspannung)
Das Netzteil ist kurzzeitig Kurzschlussfest.
Damit können kleine Projekte mit 1-2 ECC82 oder 6J2P+6N3P gespeist werden. Wenn der Regeltransistor gekühlt wird geht bei Verwendung eines anderen Trafos auch wesentlich mehr als die 15mA.
Funktionsweise:
Die durch B1 Gleichgerichtete und C2 gesiebte Hochspannung (ca. 240V im Leerlauf) wird durch T1 der als Längsregler arbeitet auf das gewünschte Maß reduziert. Widerstand R2 sorgt für eine positive Spannung am Gate von T1, so dass dieser zunächst öffnet. Die Ausgangsspannung wird durch R6/R7/R8 auf ca. 52V herunter geteilt. Das Teilverhältnis ist mit R7 einstellbar. Übersteigt die Spannung an der Basis von T2 den Referenzspannungswert von 51V der durch D4 am Emitter vorgegeben ist fängt dieser an zu leiten und verringert dadurch über R4 die Spannung am Gate von T1, dadurch reduziert sich auch die Ausgangsspannung an dessen Source. Es stellt sich ein Gleichgewicht ein. Änderungen der Belastung und Änderungen der Eingangsspannung wirken sich nicht auf die Ausgangsspannung aus. Mit R7 kann diese von 60V bis ca. 200V eingestellt werden. Durch die
Regelung ist die Ausgangsspannung auch frei von Brummkomponenten.
Im Falle eines Kurzschlusses der Ausgangsspannung verhindert D3 eine zu hohe Gate-Source Spannung an T1. Der Widerstand R1 begrenzt den Stromstoß durch T1 der durch die schlagartige Entladung von C2 durch T1 fließt wenn der Ausgang kurzgeschlossen wird.
Der von mir verwendete MOSFET "STD3NM60T4" hat eine Drain/Source Spannungsfestigkeit von 600V und kann 3A liefern. Das Teil ist bei Pollin für €0,30 im Angebot...Es geht aber auch ein IRF820 der kaum mehr kostet und den Vorteil hat, dass man ihn mit einer Kühlfläche versehen kann. Wenn höhere Ausgangsströme gewünscht sind würde ich diese Lösung vorziehen. Die in T1 in Wärme umgesetzte Leistung errechnet sich so:
(Spannung an C2 - Ausgangsspannung) x (Ausgangsstrom)
Bei großer Spannungsdifferenz sollte also auf eine gute Kühlung von T1 geachtet werden, sonst stirbt dieser den Hitzetod.
Der Transistor T2 ist ein MPSA42. Dieser hat eine C/E Spannungsfestigkeit von 300V. Ein BC547 o.ä. funktioniert hier nicht. Ein BF422 kann hingegen verwendet werden, jedoch Vorsicht dieser hat eine andere Anschlussbelegung.
Um für bestimmte Schaltungen eine negative Gitterspannung nutzen zu können habe ich noch mit D1, D2 und D5 eine stabilisierte negative Hilfsspannungserzeugung vorgesehen. Diese ist nur mit 1mA belastbar was aber für den vorgesehen Zweck reicht. Alternativ kann die Schaltung auch so modifiziert werden, dass eine positive Spannung ausgegeben wird. Hierzu sind D1, D2, D5 C1, C4 und C8 umzupolen.
Für einfache Schaltungen die keine geregelte Spannung benötigen kann man auch alle Transistoren und die zugehörigen Bauteile weglassen und stattdessen den Widerstand R3 bestücken. Dann arbeitet das Netzteil ungeregelt. Mit R3 kann dann in Grenzen die Ausgangsspannung bei einer vorgegebenen Last verändert werden.
Die ganze Schaltung findet auf einer Platine mit 80x50mm platz. Layoutdaten kann ich gerne per Mail zusenden.
Zum Schluss möchte ich nicht unerwähnt lassen, dass die Spannungen auf der Platine gefährlich sind. Bitte seid vorsichtig!
Viel Spaß beim Nachbau.
im Zuge der Entwicklung des Modulators mit Russischen Röhren habe ich auch ein kleines geregeltes Netzteil gebaut. Da ich denke, dass ein solches Gerät hier für viele interessant ist habe ich diesem Projekt einen eigenen Thread spendiert. Um den Stromverbrauch niedrig zu halten habe ich das Netzteil mit MOSFET als Längsregler konzipiert. Die Platine ist auf einen 7W Netztrafo ausgelegt der hier bezogen werden kann:
https://www.tube-town.net/ttstore/Transf...so8e4meen7
Andere Trafos auch solche mit mehr Leistung können natürlich extern angeschlossen werden die passen dann leider nicht auf die Platine. Hier der Schaltplan
Technische Daten:
Ausgangsspannung 60...200V bei maximal 15mA
Heizspannung: 6,3V maximal 600mA
Hilfsspannung -9V (z.B. als Gittervorspannung)
Das Netzteil ist kurzzeitig Kurzschlussfest.
Damit können kleine Projekte mit 1-2 ECC82 oder 6J2P+6N3P gespeist werden. Wenn der Regeltransistor gekühlt wird geht bei Verwendung eines anderen Trafos auch wesentlich mehr als die 15mA.
Funktionsweise:
Die durch B1 Gleichgerichtete und C2 gesiebte Hochspannung (ca. 240V im Leerlauf) wird durch T1 der als Längsregler arbeitet auf das gewünschte Maß reduziert. Widerstand R2 sorgt für eine positive Spannung am Gate von T1, so dass dieser zunächst öffnet. Die Ausgangsspannung wird durch R6/R7/R8 auf ca. 52V herunter geteilt. Das Teilverhältnis ist mit R7 einstellbar. Übersteigt die Spannung an der Basis von T2 den Referenzspannungswert von 51V der durch D4 am Emitter vorgegeben ist fängt dieser an zu leiten und verringert dadurch über R4 die Spannung am Gate von T1, dadurch reduziert sich auch die Ausgangsspannung an dessen Source. Es stellt sich ein Gleichgewicht ein. Änderungen der Belastung und Änderungen der Eingangsspannung wirken sich nicht auf die Ausgangsspannung aus. Mit R7 kann diese von 60V bis ca. 200V eingestellt werden. Durch die
Regelung ist die Ausgangsspannung auch frei von Brummkomponenten.
Im Falle eines Kurzschlusses der Ausgangsspannung verhindert D3 eine zu hohe Gate-Source Spannung an T1. Der Widerstand R1 begrenzt den Stromstoß durch T1 der durch die schlagartige Entladung von C2 durch T1 fließt wenn der Ausgang kurzgeschlossen wird.
Der von mir verwendete MOSFET "STD3NM60T4" hat eine Drain/Source Spannungsfestigkeit von 600V und kann 3A liefern. Das Teil ist bei Pollin für €0,30 im Angebot...Es geht aber auch ein IRF820 der kaum mehr kostet und den Vorteil hat, dass man ihn mit einer Kühlfläche versehen kann. Wenn höhere Ausgangsströme gewünscht sind würde ich diese Lösung vorziehen. Die in T1 in Wärme umgesetzte Leistung errechnet sich so:
(Spannung an C2 - Ausgangsspannung) x (Ausgangsstrom)
Bei großer Spannungsdifferenz sollte also auf eine gute Kühlung von T1 geachtet werden, sonst stirbt dieser den Hitzetod.
Der Transistor T2 ist ein MPSA42. Dieser hat eine C/E Spannungsfestigkeit von 300V. Ein BC547 o.ä. funktioniert hier nicht. Ein BF422 kann hingegen verwendet werden, jedoch Vorsicht dieser hat eine andere Anschlussbelegung.
Um für bestimmte Schaltungen eine negative Gitterspannung nutzen zu können habe ich noch mit D1, D2 und D5 eine stabilisierte negative Hilfsspannungserzeugung vorgesehen. Diese ist nur mit 1mA belastbar was aber für den vorgesehen Zweck reicht. Alternativ kann die Schaltung auch so modifiziert werden, dass eine positive Spannung ausgegeben wird. Hierzu sind D1, D2, D5 C1, C4 und C8 umzupolen.
Für einfache Schaltungen die keine geregelte Spannung benötigen kann man auch alle Transistoren und die zugehörigen Bauteile weglassen und stattdessen den Widerstand R3 bestücken. Dann arbeitet das Netzteil ungeregelt. Mit R3 kann dann in Grenzen die Ausgangsspannung bei einer vorgegebenen Last verändert werden.
Die ganze Schaltung findet auf einer Platine mit 80x50mm platz. Layoutdaten kann ich gerne per Mail zusenden.
Zum Schluss möchte ich nicht unerwähnt lassen, dass die Spannungen auf der Platine gefährlich sind. Bitte seid vorsichtig!
Viel Spaß beim Nachbau.
Viele Grüße
Semir
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"Alle sagten: Das geht nicht. Dann kam einer der wußte das nicht, und hat es gemacht."
(Prof. Hilbert Meyer, Uni Oldenburg)
Semir
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"Alle sagten: Das geht nicht. Dann kam einer der wußte das nicht, und hat es gemacht."
(Prof. Hilbert Meyer, Uni Oldenburg)